SQ2360EES-T1-GE3

Vishay Siliconix

SQ2360EES-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236

ObsoletTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 6A, 10V
Basis-TeilenummerSQ2360
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds370 pF @ 25 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.4A (Tc)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSOT-23-3 (TO-236)