SQ2319ES-T1-GE3

Name: SQ2319ES-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236

ObsoletTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	75mOhm @ 3A, 10V
Basis-Teilenummer	SQ2319
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	620 pF @ 25 V
Hersteller	Vishay Siliconix
Montageart	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.6A (Tc)