SQ2315ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ2315ES-T1_GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 3.5A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds870 pF @ 4 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tc)
Max. Verlustleistung2W (Tc)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101