SQ1464EEH-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ1464EEH-T1_GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6

Aktiv6-TSSOP, SC-88, SOT-363Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.41Ohm @ 2A, 1.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds140 pF @ 25 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C440mA (Tc)
Max. Verlustleistung430mW (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller-GehäuseSC-70-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)