SQ1440EH-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ1440EH-T1_GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 1.7A SC70-6

Aktiv6-TSSOP, SC-88, SOT-363Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 3.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds344 pF @ 15 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.7A (Tc)
Max. Verlustleistung3.3W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller-GehäuseSC-70-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)