SQ1420EEH-T1-GE3

Vishay Siliconix

SQ1420EEH-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 1.6A SC70-6

Obsolet6-TSSOP, SC-88, SOT-363Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs140mOhm @ 1.2A, 10V
Basis-TeilenummerSQ1420
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds215 pF @ 25 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.6A (Tc)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller-GehäuseSC-70-6