SIZF928DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZF928DT-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 33A 8PWRPAIR

Aktiv8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.45mOhm @ 10A, 10V, 750µOhm @ 15A, 10V
Basis-TeilenummerSIZF928
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchFET® Gen IV
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C33A (Ta), 88A (Tc), 61A (Ta), 248A (Tc)
Power - Max3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-Gehäuse8-PowerPair® (6x5)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)