SIZF5300DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZF5300DT-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR

Aktiv12-PowerPair™Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.43mOhm @ 10A, 10V
Basis-TeilenummerSIZF5300
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1480pF @ 15V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchFET® Gen V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Ta), 125A (Tc)
Power - Max4.5W (Ta), 56.8W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case12-PowerPair™
Hersteller-GehäusePowerPAIR® 3x3FS

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)