SIZ920DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZ920DT-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR

Obsolet8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.1mOhm @ 18.9A, 10V
Basis-TeilenummerSIZ920
Konfiguration2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1260pF @ 15V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusObsolet
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A
Power - Max39W, 100W

Mechanisch

Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-Gehäuse8-PowerPair® (6x5)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)