SIZ346DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZ346DT-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 17A/30A 8PWR33

Aktiv8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V
Basis-TeilenummerSIZ346
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds325pF @ 15V, 650pF @ 15V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SeriePowerPAIR®, TrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Tc), 30A (Tc)
Power - Max16W, 16.7W

Mechanisch

Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-Gehäuse8-Power33 (3x3)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)