SIZ320DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZ320DT-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 25V 30A/40A 8PWR33

Abgekündigt8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V
Basis-TeilenummerSIZ320
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusLast Time Buy
SeriePowerPAIR®, TrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc), 40A (Tc)
Power - Max16.7W, 31W

Mechanisch

Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-Gehäuse8-Power33 (3x3)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)