SIUD412ED-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIUD412ED-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806

AktivPowerPAK® 0806Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs340mOhm @ 500mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds21 pF @ 6 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±5V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA (Tc)
Max. Verlustleistung1.25W (Ta)

Mechanisch

Package / CasePowerPAK® 0806
Hersteller-GehäusePowerPAK® 0806

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)