SIUD402ED-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIUD402ED-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 1A PPAK 0806

AktivPowerPAK® 0806Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs730mOhm @ 200mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds16 pF @ 10 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Ta)
Max. Verlustleistung1.25W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® 0806
Hersteller-GehäusePowerPAK® 0806

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)