SISS65DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISS65DN-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK

AktivPowerPAK® 1212-8SAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.6mOhm @ 15A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4930 pF @ 15 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieTrenchFET® Gen III
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25.9A (Ta), 94A (Tc)
Max. Verlustleistung5.1W (Ta), 65.8W (Tc)

Mechanisch

Package / CasePowerPAK® 1212-8S
Hersteller-GehäusePowerPAK® 1212-8S

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)