SISS40DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISS40DN-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK

AktivPowerPAK® 1212-8SAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds845 pF @ 50 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieThunderFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C36.5A (Tc)
Max. Verlustleistung3.7W (Ta), 52W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® 1212-8S
Hersteller-GehäusePowerPAK® 1212-8S

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)