SISH407DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISH407DN-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK

AktivPowerPAK® 1212-8SHAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs93.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2760 pF @ 10 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15.4A (Ta), 25A (Tc)
Max. Verlustleistung3.6W (Ta), 33W (Tc)

Mechanisch

Package / CasePowerPAK® 1212-8SH
Hersteller-GehäusePowerPAK® 1212-8SH

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)