SISF04DN-T1-GE3

Name: SISF04DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK 1212-8

AktivPowerPAK® 1212-8SCDAnalog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	4mOhm @ 7A, 10V
Basis-Teilenummer	SISF04
Konfiguration	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 15V
Hersteller	Vishay Siliconix
Montageart	Surface Mount
Verpackung	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Teilestatus	Aktiv
Serie	TrenchFET® Gen IV
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Ta), 108A (Tc)
Power - Max	5.2W (Ta), 69.4W (Tc)

Package / Case	PowerPAK® 1212-8SCD
Hersteller-Gehäuse	PowerPAK® 1212-8SCD

Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)