SISA34DN-T1-GE3

Name: SISA34DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8

ObsoletPowerPAK® 1212-8Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.7mOhm @ 10A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1100 pF @ 15 V
Hersteller	Vishay Siliconix
Montageart	Surface Mount
Verpackung	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Teilestatus	Obsolet
Serie	TrenchFET® Gen IV
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	+20V, -16V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	40A (Tc)
Max. Verlustleistung	20.8W (Tc)

Package / Case	PowerPAK® 1212-8
Hersteller-Gehäuse	PowerPAK® 1212-8

Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)