SIS932EDN-T1-GE3

Name: SIS932EDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212

AktivPowerPAK® 1212-8 DualAnalog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	22mOhm @ 10A, 4.5V
Basis-Teilenummer	SIS932
Konfiguration	2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 15V
Hersteller	Vishay Siliconix
Montageart	Surface Mount
Verpackung	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Teilestatus	Aktiv
Serie	TrenchFET®
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Power - Max	2.6W (Ta), 23W (Tc)

Package / Case	PowerPAK® 1212-8 Dual
Hersteller-Gehäuse	PowerPAK® 1212-8 Dual

Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)