SIS472ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS472ADN-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 24A PPAK1212-8

AktivPowerPAK® 1212-8Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1515 pF @ 15 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Tc)
Max. Verlustleistung28W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® 1212-8
Hersteller-GehäusePowerPAK® 1212-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)