SIS184DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS184DN-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK

AktivPowerPAK® 1212-8Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.8mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1490 pF @ 30 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieTrenchFET® Gen IV
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
Max. Verlustleistung3.7W (Ta), 52W (Tc)

Mechanisch

Package / CasePowerPAK® 1212-8
Hersteller-GehäusePowerPAK® 1212-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)