SIRA90ADP-T1-GE3

Name: SIRA90ADP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 71A/334A PPAK

AbgekündigtPowerPAK® SO-8Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.78mOhm @ 20A, 10V
Basis-Teilenummer	SIRA90
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9120 pF @ 15 V
Hersteller	Vishay Siliconix
Montageart	Surface Mount
Product Status	Discontinued at
Serie	TrenchFET®
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	+20V, -16V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	71A (Ta), 334A (Tc)
Max. Verlustleistung	6.3W (Ta), 104W (Tc)

Betriebstemperatur	-55°C~150°C(TJ)