SIRA26DP-T1-RE3

Name: SIRA26DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

AktivPowerPAK® SO-8Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.65mOhm @ 15A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2247 pF @ 10 V
Hersteller	Vishay Siliconix
Montageart	Surface Mount
Verpackung	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Teilestatus	Aktiv
Serie	TrenchFET® Gen IV
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	+16V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Max. Verlustleistung	43.1W (Tc)

Package / Case	PowerPAK® SO-8
Hersteller-Gehäuse	PowerPAK® SO-8

Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)