SIRA20BDP-T1-GE3

Name: SIRA20BDP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK

AktivPowerPAK® SO-8Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.58mOhm @ 20A, 10V
Basis-Teilenummer	SIRA20
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9950 pF @ 15 V
Hersteller	Vishay Siliconix
Montageart	Surface Mount
Product Status	Active
Serie	TrenchFET® Gen IV
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	+16V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	82A (Ta), 335A (Tc)
Max. Verlustleistung	6.3W (Ta), 104W (Tc)

Betriebstemperatur	-55°C~150°C(TJ)