SIR696DP-T1-GE3

Name: SIR696DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8

AktivPowerPAK® SO-8Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.5mOhm @ 20A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1410 pF @ 75 V
Hersteller	Vishay Siliconix
Montageart	Surface Mount
Verpackung	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Teilestatus	Aktiv
Serie	ThunderFET®
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	125 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Max. Verlustleistung	104W (Tc)

Package / Case	PowerPAK® SO-8
Hersteller-Gehäuse	PowerPAK® SO-8

Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)