SIR681DP-T1-RE3

Name: SIR681DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK

AktivPowerPAK® SO-8Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.2mOhm @ 10A, 10V
Basis-Teilenummer	SIR681
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4850 pF @ 40 V
Hersteller	Vishay Siliconix
Montageart	Surface Mount
Product Status	Active
Serie	TrenchFET® Gen IV
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.6V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	17.6A (Ta), 71.9A (Tc)
Max. Verlustleistung	6.25W (Ta), 104W (Tc)

Betriebstemperatur	-55°C~150°C(TJ)