SIR664DP-T1-GE3

Name: SIR664DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

AktivPowerPAK® SO-8Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	6mOhm @ 20A, 10V
Basis-Teilenummer	SIR664
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1750 pF @ 30 V
Hersteller	Vishay Siliconix
Montageart	Surface Mount
Product Status	Active
Serie	TrenchFET®
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)