SIR624DP-T1-GE3

Name: SIR624DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8

AktivPowerPAK® SO-8Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 10A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1110 pF @ 100 V
Hersteller	Vishay Siliconix
Montageart	Surface Mount
Verpackung	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Teilestatus	Aktiv
Serie	ThunderFET®
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18.6A (Tc)
Max. Verlustleistung	52W (Tc)

Package / Case	PowerPAK® SO-8
Hersteller-Gehäuse	PowerPAK® SO-8

Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)