SIJ494DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIJ494DP-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8

AktivPowerPAK® SO-8Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs23.2mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1070 pF @ 75 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieThunderFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C36.8A (Tc)
Max. Verlustleistung69.4W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SO-8
Hersteller-GehäusePowerPAK® SO-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)