SIHP10N40D-E3

Vishay Siliconix

SIHP10N40D-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB

AbgekündigtTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds526 pF @ 100 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartThrough Hole
VerpackungTube
TeilestatusLast Time Buy
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)
Max. Verlustleistung147W (Tc)

Mechanisch

Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220AB

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)