SIHK075N60EF-T1GE3

Vishay Siliconix

SIHK075N60EF-T1GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

Aktiv8-PowerBSFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs71mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2954 pF @ 100 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieEF
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C33A (Tc)
Max. Verlustleistung192W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerBSFN
Hersteller-GehäusePowerPAK®10 x 12

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)