SIHG24N65E-E3

Vishay Siliconix

SIHG24N65E-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs145mOhm @ 12A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2740 pF @ 100 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Tc)
Max. Verlustleistung250W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247AC

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)