SIHB24N80AE-GE3

Name: SIHB24N80AE-GE3
Brand: Vishay Siliconix

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK

AktivTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	184mOhm @ 10A, 10V
Basis-Teilenummer	SIHB24
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1836 pF @ 100 V
Hersteller	Vishay Siliconix
Montageart	Surface Mount
Product Status	Active
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	21A (Tc)
Max. Verlustleistung	208W (Tc)

Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)