SIB800EDK-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIB800EDK-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 1.5A PPAK SC75-6

ObsoletPowerPAK® SC-75-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs225mOhm @ 1.6A, 4.5V
Basis-TeilenummerSIB800
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.7 nC @ 4.5 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieLITTLE FOOT®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±6V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A (Tc)
Max. Verlustleistung1.1W (Ta), 3.1W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SC-75-6
Hersteller-GehäusePowerPAK® SC-75-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)