SIB452DK-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIB452DK-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75

AktivPowerPAK® SC-75-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4Ohm @ 500mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds135 pF @ 50 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung190 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A (Tc)
Max. Verlustleistung2.4W (Ta), 13W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SC-75-6
Hersteller-GehäusePowerPAK® SC-75-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)