SIB437EDKT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIB437EDKT-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 8V 9A PPAK TSC75-6

ObsoletPowerPAK® TSC-75-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 3A, 4.5V
Basis-TeilenummerSIB437
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 4.5 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±5V
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Tc)
Max. Verlustleistung2.4W (Ta), 13W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® TSC-75-6
Hersteller-GehäusePowerPAK® TSC75-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)