SIB4317EDK-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIB4317EDK-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE

AktivPowerPAK® SC-75-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 3A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 15 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.3A (Ta), 4.5A (Tc)
Max. Verlustleistung1.95W (Ta), 10W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CasePowerPAK® SC-75-6
Hersteller-GehäusePowerPAK® SC-75-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)