Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 5A, 4.5V |
|---|---|
| Basis-Teilenummer | SIB422 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 8 V |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Serie | TrenchFET® |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Drain-Source-Spannung | 20 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Max. Verlustleistung | 2.5W (Ta), 13W (Tc) |
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) |
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| Package / Case | PowerPAK® SC-75-6 |
| Hersteller-Gehäuse | PowerPAK® SC-75-6 |
| Betriebstemperatur | -55°C~150°C(TJ) |
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