SIB404DK-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIB404DK-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 12V 9A PPAK SC75-6

ObsoletPowerPAK® SC-75-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 3A, 4.5V
Basis-TeilenummerSIB404
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 4.5 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±5V
Vgs(th) (Max) @ Id800mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Tc)
Max. Verlustleistung2.5W (Ta), 13W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SC-75-6
Hersteller-GehäusePowerPAK® SC-75-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)