SIA907EDJT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA907EDJT-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

AbgekündigtPowerPAK® SC-70-6 DualAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Basis-TeilenummerSIA907
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Tc)
Power - Max7.8W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CasePowerPAK® SC-70-6 Dual
Hersteller-GehäusePowerPAK® SC-70-6 Dual

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)