SIA850DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA850DJ-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 190V 950MA PPAK

ObsoletPowerPAK® SC-70-6 DualAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8Ohm @ 360mA, 4.5V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds90 pF @ 100 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieLITTLE FOOT®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung190 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C950mA (Tc)
Max. Verlustleistung1.9W (Ta), 7W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SC-70-6 Dual
Hersteller-GehäusePowerPAK® SC-70-6 Dual

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)