SIA814DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA814DJ-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6

ObsoletPowerPAK® SC-70-6 DualAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs61mOhm @ 3.3A, 10V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds340 pF @ 10 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieLITTLE FOOT®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Tc)
Max. Verlustleistung1.9W (Ta), 6.5W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SC-70-6 Dual
Hersteller-GehäusePowerPAK® SC-70-6 Dual

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)