SIA485DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA485DJ-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70

AktivPowerPAK® SC-70-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.6Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds155 pF @ 75 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.6A (Tc)
Max. Verlustleistung15.6W (Tc)

Mechanisch

Package / CasePowerPAK® SC-70-6
Hersteller-GehäusePowerPAK® SC-70-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)