SIA477EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA477EDJ-T1-GE3

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6

AktivPowerPAK® SC-70-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 7A, 4.5V
Basis-TeilenummerSIA477
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs87 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2970 pF @ 6 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SC-70-6
Hersteller-GehäusePowerPAK® SC-70-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)