SIA467EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA467EDJ-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6

ObsoletPowerPAK® SC-70-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 5A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs72 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2520 pF @ 6 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C31A (Tc)
Max. Verlustleistung3.5W (Ta), 19W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SC-70-6
Hersteller-GehäusePowerPAK® SC-70-6 Single

Umwelt

Betriebstemperatur-50°C~150°C(TJ)