SIA456DJ-T3-GE3

Vishay Siliconix

SIA456DJ-T3-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK

AktivPowerPAK® SC-70-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds350 pF @ 100 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Max. Verlustleistung3.5W (Ta), 19W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SC-70-6
Hersteller-GehäusePowerPAK® SC-70-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)