SIA440DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA440DJ-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6

AktivPowerPAK® SC-70-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 9A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds700 pF @ 20 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)
Max. Verlustleistung3.5W (Ta), 19W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CasePowerPAK® SC-70-6
Hersteller-GehäusePowerPAK® SC-70-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)