SIA436DJ-T4-GE3

Vishay Siliconix

SIA436DJ-T4-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6

AktivPowerPAK® SC-70-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1508 pF @ 4 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±5V
Vgs(th) (Max) @ Id800mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)
Max. Verlustleistung3.5W (Ta), 19W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SC-70-6
Hersteller-GehäusePowerPAK® SC-70-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)