SIA425EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA425EDJ-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

ObsoletPowerPAK® SC-70-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Basis-TeilenummerSIA425
FET TypeP-Channel
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Tc)
Max. Verlustleistung2.9W (Ta), 15.6W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SC-70-6
Hersteller-GehäusePowerPAK® SC-70-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)