SIA406DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA406DJ-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 12V 4.5A PPAK SC70-6

ObsoletPowerPAK® SC-70-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs19.8mOhm @ 10.8A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1380 pF @ 6 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR)
TeilestatusObsolet
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Tc)
Max. Verlustleistung3.5W (Ta), 19W (Tc)

Mechanisch

Package / CasePowerPAK® SC-70-6
Hersteller-GehäusePowerPAK® SC-70-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)